初步数据表
128M位的SDRAM
WTR （宽温度范围）
EDS12322GBH -TT （ 4M字
×
32位）
特定网络阳离子
•
密度： 128M位
•
组织
100万字
×
32位
×
4银行
•
包装： 90球FBGA
无铅（符合RoHS）和无卤素
•
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
•
时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）
•
1KB的页面大小
行地址： A0到A11
列地址： A0到A7
•
四大银行内部的并发操作
•
接口： LVCMOS
•
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
突发类型（BT） ：
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
交织（1， 2，4， 8）
•
/ CAS延迟（ CL ） ： 3
•
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
驱动力：上半年，季
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的
•
工作环境温度范围
TA = -20 ° C至+ 85°C
特点
• ×32
组织
•
单脉冲/ RAS
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
通过DQM字节控制
•
工作温度范围宽
TA = -20 ° C至+ 85°C
订购信息
产品型号
EDS12322GBH-6DTT-F
EDS12322GBH-7BTT-F
组织
（字
×
位）
4M
×
32
内部银行
4
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
166
133
/ CAS延时
3
包
90球FBGA
一号文件E1347E20 （版本2.0 ）
发布日期2008年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2008年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
