数据表
128M位的SDRAM
EDS1232AATA （ 4M字
×
32位）
特定网络阳离子
•
密度： 128M位
•
组织
⎯
100万字
×
32位
×
4银行
•
封装： 86引脚塑料TSOP （ II ）
⎯
的Sn-Pb焊料
⎯
锡铋焊料无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD ， VDDQ
=
3.3V
±
0.3V
•
时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）
•
四大银行内部的并发操作
•
接口： LVTTL
•
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
突发类型（BT） ：
⎯
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
⎯
交织（1， 2，4， 8）
•
/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
预充电：对于每个突发自动预充电操作
ACCESS
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期： 4096次/ 64ms的
⎯
平均更新周期：值为15.6μs
•
工作环境温度范围
⎯
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
86引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDD
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
A11
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
DQM2
VDD
NC
DQ16
VSSQ
DQ17
DQ18
VDDQ
DQ19
DQ20
VSSQ
DQ21
DQ22
VDDQ
DQ23
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
VSS
NC
DQ31
VDDQ
DQ30
DQ29
VSSQ
DQ28
DQ27
VDDQ
DQ26
DQ25
VSSQ
DQ24
VSS
EO
特点
• ×32
组织
•
单脉冲/ RAS
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
通过DQM字节控制
一号文件E0386E60 （版本6.0 ）
发布日期2007年1月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
od
Pr
A0到A11 ，
BA0 ， BA1
（ TOP VIEW ）
DQM0到DQM3
DQ面膜启用
地址输入
BANK SELECT
DQ0到DQ31
数据输入/输出
/ CS
芯片选择
/ RAS
行地址选通
列地址选通
/ CAS
写使能
/ WE
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
时钟使能
时钟输入
电源电压
地
电源电压
对于DQ
本产品成为了EOL 2007年3月。
Elpida
内存方面，公司2003-2007年
t
uc
NC
地面DQ
无连接
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
