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EDS1232AHTA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232AHTA-75-E图片预览
型号: EDS1232AHTA-75-E
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内容描述: 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 621 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1232AHTA
AC特性( TA = 0 ° C至+ 70 ° C, VDD , VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
-6B
参数
系统时钟周期
(CL = 2)的
(CL = 3)的
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
REF /主动为参考/主动命令
至预充电命令
主动命令列
命令
(同一银行)
预充电到激活命令
写恢复或数据到
预充电交货时间
最后一个数据为主动延迟
有源(一)活动(二)命令
转换时间(上升和下降)
刷新周期
( 4096刷新周期)
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
TRC
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
TRRD
tT
TREF
分钟。
10
6
2.5
2.5
2
0
1.5
0.8
60
42
18
18
12
2CLK + 18ns
12
马克斯。
5.4
5.4
120000
5.0
64
-75
分钟。
10
7.5
2.5
2.5
2
0
1.5
0.8
67.5
45
20
20
15
2CLK + 20ns的
15
马克斯。
5.4
5.4
120000
5.0
64
ns
ns
ms
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1, 5
1, 5
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2, 3, 5
1, 4
1, 5
1, 5
1
1
1
1
1
注:1 。
2.
3.
4.
5.
AC测量假设TT = 0.5ns的。参考电平输入信号的时序为1.4V 。
存取时间的测量是在1.4V 。负载条件是CL = 30pF的。
TLZ (分)限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
太赫兹(最大)限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
如果TT
为1ns ,每个参数被改变如下:
TAC , TOH , TLZ :应加( TT (升) / 2 - 0.5 )
总胆固醇,TCL, tSI时, THI :应加入{( TT(上升) + TT(下降) )/ 2 - 1}
数据表E1163E30 (版本3.0 )
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