欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDS1232JCBH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232JCBH-75-E图片预览
型号: EDS1232JCBH-75-E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 715 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1232JCBH-75-E的Datasheet PDF文件第9页  
初步数据表
128M位的SDRAM
EDS1232JCBH - 75 ( 4M字
×
32位)
特定网络阳离子
密度: 128M位
组织
100万字
×
32位
×
4银行
包装: 90球FBGA
无铅(符合RoHS)
电源: VDD , VDDQ
=
2.5V
±
0.2V
时钟频率: 133MHz的(最大)
四大银行内部的并发操作
接口: LVCMOS
脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
突发类型(BT) :
顺序( 1,2, 4,8,全页)
交织(1, 2,4, 8)
/ CAS延迟(CL) :2,3
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力:半/季
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期: 4096次/ 64ms的
平均更新周期:值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
90球FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
EO
特点
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
VSSQ DQ27 DQ25
D
VSSQ DQ29 DQ30
E
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
A11
/ RAS
F
VSS DQM3
G
A4
A5
A8
CKE
NC
• ×32
组织
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过DQM字节控制
一号文件E0745E30 (版本3.0 )
发布日期2006年2月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
L
H
A7
J
CLK
K
DQM1
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
本产品成为了EOL于2007年9月。
Elpida
内存方面,公司2005-2006年
od
Pr
L
VDDQ DQ8
VSS
M
N
P
VSSQ DQ10 DQ9
VSSQ DQ12 DQ14
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
DQ13 DQ15 VSS
( TOP VIEW )
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
uc
t