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    EDS1616GGBH-1A-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS1616GGBH-1A-E图片预览
    型号： EDS1616GGBH-1A-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M位SDRAM [16M bits SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 49 页 / 632 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1616GGBH-1A-E的Datasheet PDF文件第9页  
    初步数据表
    16M位SDRAM
    EDS1616GGBH （ 1M字
    ×
    16比特）
    特定网络阳离子
    •
    密度： 16M位
    •
    组织
    ⎯
    512K字
    ×
    16位
    ×
    2银行
    •
    包装： 60球FBGA
    ⎯
    无铅（符合RoHS）
    •
    电源： VDD ， VDDQ
    =
    3.3V
    ±
    0.3V
    •
    时钟频率： 100MHz的（最大）
    •
    两个内部银行的并发操作
    •
    接口： LVTTL
    •
    脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
    •
    突发类型（BT） ：
    ⎯
    顺序（ 1，2， 4，8，全页）
    ⎯
    交织（1， 2，4， 8）
    •
    / CAS延迟（CL） ：2,3
    •
    预充电：对于每个突发自动预充电操作
    ACCESS
    •
    刷新：自动刷新，自刷新
    •
    刷新周期： 2048次/ 32ms的
    ⎯
    平均更新周期：值为15.6μs
    •
    工作环境温度范围
    ⎯
    TA = 0°C至+ 70°C
    销刀豆网络gurations
    / xxx表示低电平有效的信号。
    60球FBGA
    1
    A
    VSS
    B
    DQ14
    C
    DQ13 VDDQ
    D
    DQ12
    E
    DQ10
    F
    DQ9
    G
    DQ8
    H
    J
    NC
    NC
    DQ7
    VDDQ
    VSSQ
    DQ6
    VSSQ
    VDDQ
    DQ5
    DQ11
    DQ4
    DQ3
    VSSQ
    DQ2
    VSSQ
    VDDQ
    DQ1
    DQ15
    DQ0
    VDD
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    EO
    特点
    •
    单脉冲/ RAS
    •
    突发读/写操作和突发读/写单
    操作能力
    •
    通过UDQM和LDQM控制字节
    •
    tDPL
    =
    1CLK
    一号文件E0682E20 （版本2.0 ）
    发布日期2005年12月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    L
    od
    Pr
    NC
    NC
    NC
    UDQM
    K
    L
    NC
    CLK
    CKE
    NC
    M
    BA
    A9
    N
    A8
    A7
    P
    A6
    A5
    R
    VSS
    A4
    NC
    NC
    LDQM
    / WE
    / RAS
    / CAS
    NC
    / CS
    NC
    NC
    A0
    A10
    A2
    A1
    A3
    VDD
    A0到A10
    BA
    DQ0到DQ15
    / CS
    / RAS
    / CAS
    / WE
    LDQM ， UDQM
    地址输入
    银行选择地址
    数据输入/输出
    芯片选择
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    输入/输出的掩码
    本产品成为了EOL 2007年3月。
    Elpida
    内存方面， 2005年公司
    t
    uc
    （ TOP VIEW ）
    CKE
    CLK
    VDD
    VSS
    VDDQ
    VSSQ
    NC
    时钟使能
    时钟输入
    电源内部电路
    地上的内部电路
    电源电路DQ
    地面DQ电路
    无连接

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