初步数据表
256M位的SDRAM
WTR （宽温度范围）
EDS2504APTA -TI （ 64M字
×
4比特）
EDS2508APTA -TI （ 32M字
×
8比特）
EDS2516APTA -TI （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDS2504AP是256M位的SDRAM作为举办
16777216词
×
4位
×
4银行。在EDS2508
AP是组织为8,388,608一个256M位的SDRAM
WORDS
×
8位
×
4银行。该EDS2516 AP是256M
位SDRAM组织为4194304字
×
16位
×
4
银行。所有输入和输出都提到了瑞星
在时钟输入的边缘。它被封装在标准的54-
引脚塑料TSOP （ II ） 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚TSOP
VDD VDD
NC DQ0
NC
NC
DQ0 DQ1
NC
NC
NC DQ2
NC
NC
DQ1 DQ3
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS VSS VSS
DQ15 DQ7 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ14 NC数控
DQ13 DQ6 DQ3
VDDQ VDDQ VDDQ
VSSQ VSSQ VSSQ
特点
•
•
•
•
•
3.3V电源
时钟频率： 133MHz的（最大）
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1， 2，4， 8）的
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过DQM字节控制
： DQM （ EDS2504 / 08AP ）
： UDQM ， LDQM （ EDS2516AP ）
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
环境温度范围： -40〜 + 85°C
DQ12 NC数控
DQ11 DQ5 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ10 NC数控
DQ9 DQ4 DQ2
VDDQ VDDQ VDDQ
VSSQ VSSQ VSSQ
NC DQ7
VDD VDD
NC LDQM
/ WE / WE
/ CAS / CAS
/ RAS / RAS
/ CS
/ CS
BA0 BA0
BA1 BA1
A10 A10
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD VDD
DQ8 NC
VSS VSS
NC
NC
UDQM DQM
CLK CLK
CKE CKE
A12 A12
A11 A11
A9
A9
A8
A8
A7
A7
A6
A6
A5
A5
A4
A4
VSS VSS
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
X 16
X8
X4
（ TOP VIEW ）
A0到A12 ，
BA0 ， BA1
地址输入
银行选择地址
DQ0到DQ15
数据输入/输出
芯片选择
/ CS
行地址选通
/ RAS
/ CAS
列地址选通
/ WE
写使能
DQM
CKE
CLK
VDD
VSS
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
VDDQ
电源电路DQ
VSSQ
地面DQ电路
NC
无连接
一号文件E0248E10 （版本1.0 ）
发布日期2002年3月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2002年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
