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EDS2508APTA-7AL 参数 Datasheet PDF下载

EDS2508APTA-7AL图片预览
型号: EDS2508APTA-7AL
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内容描述: 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 51 页 / 553 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
256M位的SDRAM
EDS2504ACTA , EDS2504APTA ( 64M字
×
4比特)
EDS2508ACTA , EDS2508APTA ( 32M字
×
8比特)
EDS2516ACTA , EDS2516APTA ( 16M字
×
16比特)
描述
该EDS2504AC / AP是组织了256M位的SDRAM
为16777216的话
×
4位
×
4银行。在EDS2508
AC / AP是组织为8,388,608一个256M位的SDRAM
WORDS
×
8位
×
4银行。在EDS2516 AC / AP是
256M位的SDRAM组织为4194304字
×
16
×
4银行。所有输入和输出被称为
在时钟输入的上升沿。它被包装在
标准的54引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
指数
EDS2504AC/08AC/16AC
VDD VDD
NC DQ0
NC
NC
DQ0 DQ1
NC
NC
NC DQ2
NC
NC
DQ1 DQ3
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
指数
EDS2504AP/08AP/16AP
54引脚TSOP
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VDDQ VDDQ VDDQ
特点
3.3V电源
时钟频率: 133MHz的(最大)
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
可编程的突发长度* (BL ):1, 2,4, 8
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1, 2,4, 8)的
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过DQM字节控制
: DQM ( EDS2504AC / AP , EDS2508AC / AP)
: UDQM , LDQM ( EDS2516AC / AP)
刷新周期: 8192刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
注: EDS2504AP / 08AP / 16AP支持整页
功能。
VSSQ VSSQ VSSQ
VDDQ VDDQ VDDQ
VSSQ VSSQ VSSQ
NC DQ7
VDD VDD
NC LDQM
/ WE / WE
/ CAS / CAS
/ RAS / RAS
/ CS
/ CS
BA0 BA0
BA1 BA1
A10 A10
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
VSS VSS VSS
DQ15 DQ7 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
DQ14 NC数控
DQ13 DQ6 DQ3
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ12 NC数控
DQ11 DQ5 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
DQ10 NC数控
DQ9 DQ4 DQ2
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ8 NC
VSS VSS
NC
NC
UDQM DQM
CLK CLK
CKE CKE
A12 A12
A11 A11
A9
A9
A8
A8
A7
A7
A6
A6
A5
A5
A4
A4
VSS VSS
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
X 16
X8
X4
( TOP VIEW )
A0到A12 ,
BA0 , BA1
地址输入
银行选择地址
DQ0到DQ15
数据输入/输出
芯片选择
/ CS
行地址选通
/ RAS
/ CAS
列地址选通
/ WE
写使能
DQM
CKE
CLK
VDD
VSS
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
VDDQ
电源电路DQ
VSSQ
地面DQ电路
NC
无连接
一号文件E0110E30 (版本3.0 )
发布日期2001年11月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
C
尔必达内存方面, 2001年公司