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EDS2508APTA-7AL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDS2508APTA-7AL
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内容描述: 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 51 页 / 553 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2504ACTA / 08ACTA / 16ACTA , EDS2504APTA / 08APTA / 16APTA
直流特性2 ( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
2.4
马克斯。
1
1.5
0.4
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD , DQ =取消
IOH = -4毫安
IOL = 4毫安
笔记
引脚电容( TA = 25℃ , VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V )
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出电容
CI / O
引脚
CLK
地址, CKE , / CS , / RAS ,
/ CAS , / WE , DQM ,
DQ
分钟。
2.5
2.5
4
典型值
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
注意事项: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2.测量条件: F = 1MHz时, 1.4V偏置, 200mV的摆动。
3. DQM = VIH禁用DOUT 。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
AC特性( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD , VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
-7A
参数
系统时钟周期
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
符号
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
分钟。
7.5
2.5
2.5
2.7
1
1.5
0.8
60
45
15
15
15
-75
分钟。
7.5
2.5
2.5
2.7
1
1.5
0.8
67.5
45
20
20
15
马克斯。
5.4
5.4
120000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1
1
1
1
REF /主动到REF /主动命令时期的tRC
主动到预充电命令期
主动命令列命令
(同一银行)
预充电到激活命令时期
写恢复或数据输入到预充电
交货时间
最后一个数据为主动延迟
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
2CLK + 15ns的2CLK + 20ns的 -
15
0.5
15
0.5
5
64
ns
ns
ms
1
有源(一)活动(二)指令周期TRRD
转换时间(上升和下降)
刷新周期
( 8192刷新周期)
tT
TREF
注:1 。
2.
3.
4.
AC测量假设TT = 0.5ns的。参考电平输入信号的时序为1.4V 。
存取时间的测量是在1.4V 。负载条件是CL = 50pF的。
TLZ (分)限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
太赫兹(最大)限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
数据表E0110E30 (版本3.0 )
6