数据表
256M位的SDRAM
WTR (宽温度范围)
EDS2516APTA -TI -E ( 16M字
×
16比特)
描述
该EDS2516APTA是组织了256M位的SDRAM
为4194304字
×
16位
×
4银行。所有的输入和
输出被称为时钟的上升沿
输入。它封装在54引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP ( II )
VDD
DQ0
VDDQ
特点
•
•
•
•
•
•
3.3V电源
时钟频率: 133MHz的(最大)
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行,
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
•
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1, 2,4, 8)的
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
•
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
•
通过UDQM和LDQM控制字节
•
刷新周期: 8192刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
TSOP ( II )封装,无铅焊料(锡铋)
•
工作温度范围宽
环境温度范围: -40〜 + 85°C
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
( TOP VIEW )
地址输入
银行选择地址
DQ0到DQ15
数据输入/输出
芯片选择
/ CS
行地址选通
/ RAS
列地址选通
/ CAS
写使能
/ WE
A0到A12 ,
BA0 , BA1
UDQM , LDQM
输入/输出的掩码
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
NC
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0677E10 (版本1.0 )
发布日期2005年3月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2005年公司