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EDS2516CDTA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2516CDTA-75-E图片预览
型号: EDS2516CDTA-75-E
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内容描述: 256M位的SDRAM ( 16M字×16位) [256M bits SDRAM (16M words x 16 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 685 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
256M位的SDRAM
EDS2516CDTA ( 16M字
×
16比特)
描述
该EDS2516CDTA是有组织的256M位的SDRAM
为4,194,304字
×
16位
×
4银行。所有的输入和
输出与的上升沿同步
时钟。
它们被封装在54引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP ( II )
VDD
DQ0
VDDQ
特点
2.5V电源
时钟频率: 133MHz的(最大)
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过UDQM和LDQM控制字节
刷新周期: 8192刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
TSOP ( II )封装,无铅焊料(锡铋)
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
( TOP VIEW )
A0到A12
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
UDQM , LDQM
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
写使能
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
NC
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0545E40 (版本4.0 )
发布日期2005年3月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004-2005年