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EDS2516CDTA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2516CDTA-75-E图片预览
型号: EDS2516CDTA-75-E
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内容描述: 256M位的SDRAM ( 16M字×16位) [256M bits SDRAM (16M words x 16 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 685 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2516CDTA
AC特性( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD , VDDQ = 2.5V ± 0.2V , VSS , VSSQ = 0V)
-75
参数
系统时钟周期
(CL = 2)的
(CL = 3)的
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
REF /主动为参考/主动命令时期
主动到预充电命令期
主动命令列指令(同一银行)
预充电到激活命令时期
写恢复或数据到预充电交货时间
最后一个数据为主动延迟
有源(一)活动(二)指令周期
转换时间(上升和下降)
刷新周期
( 8192刷新周期)
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
TRC
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
TRRD
tT
TREF
分钟。
10
7.5
2.5
2.5
3
0
1.5
0.8
67.5
45
20
20
15
2CLK + 20ns的
15
0.5
马克斯。
6
6
120000
5
64
ns
ns
ms
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1
1
1
1
注:1 。
2.
3.
4.
AC测量假设TT = 0.5ns的。参考电平输入信号的时序为1.2V 。
存取时间的测量是在1.2V 。负载条件是CL = 30pF的。
TLZ (分)限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
太赫兹(最大)限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
Prelimimary数据表E0545E40 (版本4.0 )
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