数据表
256M位的SDRAM
EDS2508APSA （ 32M字
×
8比特）
EDS2516APSA （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDS2508AP是256M位的SDRAM作为举办
8388608字
×
8位
×
4银行。该EDS2516AP
是256M位的SDRAM组织为4194304字
×
16位
×
4银行。所有输入和输出被称为
在时钟输入的上升沿。它被包装在
标准的60球
μBGA
.
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
1
A
VSS
DQ15
(DQ7)*
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
B
DQ14 VSSQ
（ NC ） *
VDDQ
DQ1
（ NC ） *
DQ2
(DQ1)*
特点
•
•
•
•
•
3.3V电源
时钟频率： 133MHz的（最大）
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1， 2，4， 8）的
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过DQM字节控制
： DQM （ EDS2508AP ）
： UDQM ， LDQM （ EDS2516AP ）
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
C
D
DQ13 VDDQ
(DQ6)*
DQ12 DQ11
（ NC ）， * （ DQ5 ） *
VSSQ
DQ4
DQ3
（ DQ2 ） * （ NC ） *
VDDQ
DQ5
（ NC ） *
DQ6
(DQ3)*
DQ7
（ NC ） *
NC
E
DQ10 VSSQ
（ NC ） *
F
DQ9 VDDQ
(DQ4)*
VSSQ
G
DQ8
（ NC ） *
NC
NC
H
NC
VSS
UDQM
（ DQM ） *
CLK
VDD
LDQM
（ NC ） *
/ RAS
J
NC
/ WE
K
L
NC
/ CAS
CKE
A12
NC
/ CS
M
A11
A9
BA1
BA0
N
A8
A7
A0
A10
P
A6
A5
A2
A1
R
VSS
A4
A3
VDD
（ TOP VIEW ）
注： （ ） *标记的管脚是EDS2508APSA 。
A0到A12 ，
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0228E30 （版本3.0 ）
发布日期2002年8月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， Inc.2001-2002
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
