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EDS2532AABJ-6B-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532AABJ-6B-E图片预览
型号: EDS2532AABJ-6B-E
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内容描述: 256M位的SDRAM ( 8M字? 32位) [256M bits SDRAM (8M words ?32 bits)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 48 页 / 614 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
256M位的SDRAM
EDS2532AABJ -6B ( 8M字
×
32位)
描述
该EDS2532AABJ是组织了256M位的SDRAM
为2,097,152字
×
32位
×
4银行。所有的输入和
输出与的上升沿同步
时钟。
它被包装在90球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
90球FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
A11
/ RAS
特点
3.3V电源
时钟频率: 166MHz的(最大)
单脉冲/ RAS
×32
组织
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
可编程的脉冲串长度(BL ):1, 2 ,4,8和满
页面
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过DQM字节控制
地址
4K行地址/ 512列地址
刷新周期
4096刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
FBGA封装是无铅焊料(锡银铜)
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
VSSQ DQ27 DQ25
D
VSSQ DQ29 DQ30
E
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
F
VSS DQM3
G
A4
A5
A8
CKE
NC
H
A7
J
CLK
K
DQM1
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
L
VDDQ DQ8
M
VSSQ DQ10 DQ9
N
VSSQ DQ12 DQ14
P
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
DQ13 DQ15 VSS
( TOP VIEW )
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0509E30 (版本3.0 )
发布日期2005年2月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004-2005年