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EDS2532AABJ-6B-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532AABJ-6B-E图片预览
型号: EDS2532AABJ-6B-E
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内容描述: 256M位的SDRAM ( 8M字? 32位) [256M bits SDRAM (8M words ?32 bits)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 48 页 / 614 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2532AABJ-6B
AC特性( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD , VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
-6B
参数
系统时钟周期
(CL = 2)的
(CL = 3)的
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
REF /主动为参考/主动命令时期
主动到预充电命令期
主动命令列指令(同一银行)
预充电到激活命令时期
写恢复或数据到预充电交货时间
最后一个数据为主动延迟
有源(一)活动(二)指令周期
转换时间(上升和下降)
刷新周期( 4096刷新周期)
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
TRC
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
TRRD
tT
TREF
分钟。
6
2.5
2.5
2.0
0
1.5
0.8
60
42
18
18
12
马克斯。
5.4
5.4
120000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1
1
1
1
2CLK + 18ns -
12
0.5
5.0
64
ns
ns
ms
1
注:1 。
2.
3.
4.
AC测量假设TT = 0.5ns的。参考电平输入信号的时序为1.4V 。
存取时间的测量是在1.4V 。负载条件是CL = 30pF的。
TLZ (分)限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
太赫兹(最大)限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
数据表E0509E30 (版本3.0 )
7