欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDS2532CABH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532CABH-75-E图片预览
型号: EDS2532CABH-75-E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256M位的SDRAM (8M字× 32位)的 [256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 48 页 / 573 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDS2532CABH-75-E的Datasheet PDF文件第10页  
EDS2532CABH
直流特性2 ( TA = 0〜 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V , VSS , VSSQ = 0V)
°
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
2.0
马克斯。
1
1.5
0.4
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD , DQ =取消
IOH = -1毫安
IOL = 1毫安
引脚电容( TA = 25℃ , VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V )
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出
电容
CI / O
引脚
CLK
分钟。
1.5
典型值。
马克斯。
3.0
3.0
5.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
地址, CKE , / CS ,
/ RAS , / CAS , / WE , 1.5
DQM
DQ
3.0
注:1 。
2.
3.
4.
电容与Boonton的仪表或有效电容测量方法进行测定。
测量条件: F = 1MHz时, 1.2V偏置, 200mV的摆动。
DQM = VIH禁用DOUT 。
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
数据表E0395E40 (版本4.0 )
6