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    EDS2532EESL-75-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS2532EESL-75-E图片预览
    型号： EDS2532EESL-75-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 50 页 / 728 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS2532EESL-75-E的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    256M位的SDRAM
    EDS2532EESL - 75 （ 8M字
    ×
    32位）
    特定网络阳离子
    •
    密度： 256M位
    •
    组织
    2M的话
    ×
    32位
    ×
    4银行
    •
    包装： 92球FBGA
    无铅（符合RoHS）
    •
    电源： VDD ， VDDQ
    =
    1.8V
    ±
    0.1V
    •
    时钟频率： 133MHz的（最大）
    •
    2KB页大小
    行地址： A0到A11
    列地址： A0到A8
    •
    四大银行内部的并发操作
    •
    接口： LVCMOS
    •
    脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
    •
    突发类型（BT） ：
    顺序（ 1，2， 4，8，全页）
    交织（1， 2，4， 8）
    •
    / CAS延迟（CL） ：2,3
    •
    预充电：对于每个突发自动预充电操作
    ACCESS
    •
    驱动力：半/季
    •
    刷新：自动刷新，自刷新
    •
    刷新周期： 4096次/ 64ms的
    平均更新周期：值为15.6μs
    •
    工作环境温度范围
    TA = 0°C至+ 70°C
    销刀豆网络gurations
    / xxx表示低电平有效的信号。
    92球FBGA
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    A
    NC
    VDD
    VSS
    VSS
    VDD
    NC
    EO
    特点
    B
    VSSQ DQ15
    DQ0 VDDQ
    DQ1
    DQ2 VSSQ
    DQ3
    VDDQ DQ5
    DQ4
    DQ6
    C
    VDDQ DQ13 DQ14
    D
    DQ11 DQ12
    E
    DQ9 DQ10 VSSQ
    F
    DQ8 VDDQ
    VSSQ DQ7
    VDD DQM0 / WE
    / CAS / RAS
    A9
    A7
    BA0
    A10
    A11
    BA1
    A1
    VDD DQM2
    NC
    NC
    A0
    A2
    G
    CLK DQM1 VSS
    • ×32
    组织
    •
    单脉冲/ RAS
    •
    突发读/写操作和突发读/写单
    操作能力
    •
    通过DQM字节控制
    一号文件E0888E10 （版本1.0 ）
    发布日期2006年3月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    L
    H
    CKE
    / CS
    NC
    A6
    A4
    DQM3 VSS
    J
    A8
    K
    NC
    L
    A5
    本产品成为了EOL于2007年9月。
    Elpida
    内存方面， 2006年公司
    od
    Pr
    M
    N
    P
    A3
    DQ31 VDDQ
    DQ30 DQ29 VSSQ
    DQ28 DQ27
    VSSQ DQ16
    VDDQ DQ18 DQ17
    DQ20 DQ19
    DQ22 DQ21 VSSQ
    DQ23 VDDQ
    VSS
    VDD
    NC
    R
    S
    T
    VDDQ DQ26 DQ25
    VSSQ DQ24
    NC
    VDD
    U
    VSS
    （ TOP VIEW ）
    地址输入
    银行选择地址
    数据输入/输出
    芯片选择
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    DQ面膜启用
    时钟使能
    时钟输入
    电源内部电路
    地上的内部电路
    电源电路DQ
    地面DQ电路
    无连接
    A0到A11
    BA0 ， BA1
    DQ0到DQ31
    / CS
    / RAS
    / CAS
    / WE
    DQM0到DQM3
    CKE
    CLK
    VDD
    VSS
    VDDQ
    VSSQ
    NC
    uc
    t

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