数据表
256M位的SDRAM
EDS2516APTA （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDS2516AP是256M位的SDRAM作为举办
4,194,304词
×
16位
×
4银行。所有的输入和
输出被称为时钟的上升沿
输入。它被封装在标准的54引脚塑料TSOP
(II)
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
DQ0
VDDQ
特点
•
•
•
•
•
•
DQ1
DQ2
VSSQ
3.3V电源
时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
爆序列的2个版本
⎯
顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）
⎯
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过UDQM和LDQM控制字节
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
⎯
自动刷新
⎯
自刷新
•
2种类型的TSOP （II）的包
⎯
的Sn-Pb焊料
⎯
无铅焊料（锡铋）
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
EO
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
一号文件E0359E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年1月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
od
Pr
A0到A12 ，
BA0 ， BA1
（ TOP VIEW ）
UDQM ， LDQM
输入/输出的掩码
地址输入
银行选择地址
DQ0到DQ15
数据输入/输出
芯片选择
/ CS
行地址选通
/ RAS
列地址选通
/ CAS
写使能
/ WE
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
NC
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
本产品成为了EOL 2007年3月。
Elpida
内存方面，公司2003-2005年
t
uc
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
