初步数据表
256M比特SDRAM
EDS2516JEBH - 75R3 （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDS2516JEBH - 75R3是256M比特SDRAM
组织为4194304 （专用SDRAM）的
WORDS
×
16位
×
4银行规定适用于
便携式数字消费电子产品。
它被包装在54球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
54球FBGA
1
A
VSS
DQ15 VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
7
8
9
EO
特点
•
•
•
•
•
•
2.5V电源
时钟频率： 133MHz的（最大）
LVCMOS接口
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满
页面
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
/ CAS能力（CL） ： 3
•
可编程驱动强度：半，季
•
通过UDQM和LDQM控制字节
•
地址
8K行地址/ 512列地址
•
刷新周期
8192刷新周期/ 16ms的
•
自动刷新功能
•
FBGA封装，无铅焊料（锡银铜）
符合RoHS
B
DQ14 DQ13 VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12 DQ11 VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
一号文件E0811E10 （版本1.0 ）
发布日期2005年9月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
F
UDQM
CLK
CKE
/ CAS
/ RAS
/ WE
G
A12
A11
A9
BA0
BA1
/ CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
本产品成为了EOL于2007年10月。
Elpida
内存方面， 2005年公司
od
Pr
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
（ TOP VIEW ）
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM / UDQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
uc
t
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
