数据表
256M位的SDRAM
EDS2532CABJ （ 8M字
×
32位）
特定网络阳离子
•
密度： 256M位
•
组织
⎯
2M的话
×
32位
×
4银行
•
包装： 90球FBGA
⎯
无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD ， VDDQ
=
2.5V
±
0.2V
•
时钟频率： 133MHz的/ 100MHz的（最大）
•
2KB页大小
⎯
行地址： A0到A11
⎯
列地址： A0到A8
•
四大银行内部的并发操作
•
接口： LVTTL
•
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
突发类型（BT） ：
⎯
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
⎯
交织（1， 2，4， 8）
•
/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
预充电：对于每个突发自动预充电操作
ACCESS
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期： 4096次/ 64ms的
⎯
平均更新周期：值为15.6μs
•
工作环境温度范围
⎯
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
90球FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
A11
/ RAS
EO
特点
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
VSSQ DQ27 DQ25
D
VSSQ DQ29 DQ30
E
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
F
VSS DQM3
• ×32
组织
•
单脉冲/ RAS
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
通过DQM字节控制
一号文件E0460E40 （版本4.0 ）
发布日期2005年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
G
A4
A5
A8
CKE
NC
H
A7
J
CLK
K
DQM1
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
od
Pr
L
VDDQ DQ8
VSS
M
N
P
VSSQ DQ10 DQ9
VSSQ DQ12 DQ14
DQ11 VDDQ VSSQ
DQ13 DQ15 VSS
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
（ TOP VIEW ）
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
A0到A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
本产品成为了EOL 2007年3月。
Elpida
内存方面，公司2004-2005年
t
uc
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
