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EDS2532EGBH-6DTT-F 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532EGBH-6DTT-F图片预览
型号: EDS2532EGBH-6DTT-F
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内容描述: 256M位的SDRAM WTR (宽温度范围) [256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 719 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2532EGBH-TT
直流特性1 ( TA = -20 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
/ CAS延时
工作电流
符号
IDD1
GRADE
-6D
-7B
马克斯。
50
50
0.8
0.6
10
4.0
4.0
3.0
15
10
-6D
-7B
-6D
-7B
85
70
110
100
3.0
单位
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
TCK TCK = (分钟) ,
BL = 4
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
笔记
1, 2, 3
在断电的待机电流
在断电的待机电流
(输入信号稳定)
待机电流在非掉电
待机电流在非掉电
(输入信号稳定)
在掉电主动待机电流
在掉电主动待机电流
(输入信号稳定)
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
1, 2, 5
3
在非掉电IDD3N主动待机电流
在非掉电主动待机电流
IDD3NS
(输入信号稳定)
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
IDD4
IDD5
IDD6
注:1.国际直拨依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。国际直拨(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
初步数据表E1200E40 (版本4.0 )
5