初步数据表
512M位移动RAM
WTR （宽温度范围）
EDS51321DBH -TS （ 16M字
×
32位）
特定网络阳离子
•
密度： 512M位
•
组织
4M字
×
32位
×
4银行
•
包装： 90球FBGA
无铅（符合RoHS）和无卤素
•
电源： VDD ， VDDQ
=
1.7V至1.95V
•
时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）
•
2KB页大小
行地址： A0到A12
列地址： A0到A8
•
四大银行内部的并发操作
•
接口： LVCMOS
•
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
突发类型（BT） ：
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
交织（1， 2，4， 8）
•
/ CAS延迟（ CL ） ： 3
•
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
驱动力：正常， 1/2，1/4 ， 1/8
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
•
工作环境温度范围
TA = -25 ° C至+ 85°C
特点
• ×32
组织
•
单脉冲/ RAS
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
通过DQM字节控制
•
工作温度范围宽
TA = -25 ° C至+ 85°C
•
不支持低于低功耗功能是
帕塔尔阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
深度掉电模式
订购信息
产品型号
EDS51321DBH-6DTS-F
EDS51321DBH-7BTS-F
组织
（字
×
位）
16M
×
32
内部银行
4
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
166
133
/ CAS延时
3
包
90球FBGA
一号文件E1415E21 （版本2.1 ）
发布日期2009年3月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2008-2009年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
