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EDS6416AHBH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS6416AHBH-75-E图片预览
型号: EDS6416AHBH-75-E
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内容描述: 64M位SDRAM (4M字×16位) [64M bits SDRAM (4M words x 16 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 49 页 / 698 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
64M位SDRAM
EDS6416AHBH , EDS6416CHBH
( 4M字
×
16比特)
描述
该EDS6416AHBH , EDS6416CHBH是64M位
组织为1,048,576字的SDRAM
×
16位
×
4
银行。所有输入和输出都与同步
在时钟的正边缘。
电源电压为3.3V ( EDS6416AHBH )和2.5V
(EDS6416CHBH).
它被包装在60球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
60球FBGA
1
A
VSS
B
DQ15
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
7
特点
3.3V和2.5V电源
时钟频率: 166MHz的/ 133MHz的(最大)
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过UDQM和LDQM控制字节
刷新周期: 4096刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
FBGA封装,无铅焊料(锡银铜)
符合RoHS
C
DQ14
VSSQ
VDDQ
DQ1
DQ13 VDDQ
VSSQ
DQ2
D
DQ12
DQ11
DQ4
DQ3
E
DQ10
VSSQ
VDDQ
DQ5
F
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
G
DQ8
NC
NC
DQ7
H
NC
VSS
VDD
NC
J
NC
UDQM
LDQM
/ WE
K
NC
CLK
/ RAS
/ CAS
L
CKE
NC
NC
/ CS
M
A11
A9
BA1
BA0
N
A8
P
A6
R
VSS
A4
A3
VDD
A5
A2
A1
A7
A0
A10
( TOP VIEW )
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM , UDQM
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0442E40 (版本4.0 )
发布日期2005年6月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004-2005年