EDS6416AHBH ， EDS6416CHBH
直流特性2 （ TA = 0 ° C至+ 70 ° C， VDD ， VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V ） [ EDS6416AH ]
（ TA = 0 ° C至+ 70 ° C， VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS ， VSSQ = 0V ） [ EDS6416CH ]
[EDS6416AH]
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
2.4
—
马克斯。
1
1.5
—
0.4
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
≤
VIN
≤
VDD
0
≤
VOUT
≤
VDD ， DQ =取消
IOH = -2毫安
IOL = 2毫安
记
[EDS6416CH]
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
2.0
—
马克斯。
1
1.5
—
0.4
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
≤
VIN
≤
VDD
0
≤
VOUT
≤
VDD ， DQ =取消
IOH = -1毫安
IOL = 1毫安
记
引脚电容（ TA = 25℃ ， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ） [ EDS6416AH ]
（ TA = 25℃ ， VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V ） [ EDS6416CH ]
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出
电容
CI / O
引脚
CLK
地址， CKE ， / CS ，
/ RAS ， / CAS ， / WE ，
DQM
DQ
分钟。
1.5
1.5
3.0
典型值。
—
—
—
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
注：1 。
2.
3.
4.
电容与Boonton的仪表或有效电容测量方法进行测定。
测量条件： F = 1MHz时， 1.4V （ EDS6416AHBH ）和1.2V （ EDS6416CHBH ）偏差， 200mV的摆动。
DQM = VIH禁用DOUT 。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
数据表E0442E40 （版本4.0 ）
6
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
