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EDS6432AFTA-75TI-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS6432AFTA-75TI-E图片预览
型号: EDS6432AFTA-75TI-E
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内容描述: 64M位SDRAM WTR (宽温度范围) [64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 49 页 / 690 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
64M位SDRAM
WTR (宽温度范围)
EDS6432AFTA -TI ( 2M字
×
32位)
描述
该EDS6432AFTA是组织了64M SDRAM位
如524,288字
×
32位
×
4银行。所有的输入和
输出与的上升沿同步
时钟。
它封装在86引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
86引脚塑料TSOP ( II )
特点
3.3V电源
时钟频率: 133MHz的(最大)
单脉冲/ RAS
×32
组织
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过DQM字节控制
刷新周期: 4096刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
TSOP ( II )封装,无铅焊料(锡铋)
工作温度范围宽
环境温度范围: -40〜 + 85°C
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDD
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
DQM2
VDD
NC
DQ16
VSSQ
DQ17
DQ18
VDDQ
DQ19
DQ20
VSSQ
DQ21
DQ22
VDDQ
DQ23
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
VSS
NC
DQ31
VDDQ
DQ30
DQ29
VSSQ
DQ28
DQ27
VDDQ
DQ26
DQ25
VSSQ
DQ24
VSS
( TOP VIEW )
A0到A10
BA0 , BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
对于DQ电路
DQM0到DQM3
输入输出的掩码
NC
无连接
一号文件E0630E10 (版本1.0 )
发布日期2004年12月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2004年公司