数据表
64M位SDRAM
EDS6432AFBH ， EDS6432CFBH
（ 2M字
×
32位）
描述
该EDS6432AFBH ， EDS6432CFBH是64M位
组织为524,288字的SDRAM
×
32位
×
4
银行。所有输入和输出都与同步
在时钟的正边缘。
电源电压为3.3V （ EDS6432AFBH ）和2.5V
(EDS6432CFBH).
它们被包装在90球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
90球FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
特点
•
•
•
•
•
3.3V和2.5V电源
时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）
单脉冲/ RAS
×32
组织
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过DQM字节控制
•
刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
FBGA封装，无铅焊料（锡银铜）
符合RoHS
D
E
VSSQ DQ27 DQ25
VSSQ DQ29 DQ30
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
NC
/ RAS
F
VSS DQM3
G
A4
A5
A8
CKE
NC
H
A7
J
CLK
K
DQM1
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
L
VDDQ DQ8
M
VSSQ DQ10 DQ9
N
VSSQ DQ12 DQ14
P
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
DQ13 DQ15 VSS
（ TOP VIEW ）
A0到A10
BA0 ， BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0497E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年7月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2004-2005年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
