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EDS6432AFTA-6B-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS6432AFTA-6B-E图片预览
型号: EDS6432AFTA-6B-E
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内容描述: 64M位SDRAM (2M字× 32位)的 [64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 49 页 / 686 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
64M位SDRAM
EDS6432AFTA , EDS6432CFTA
( 2M字
×
32位)
描述
该EDS6432AFTA , EDS6432CFTA是64M位
组织为524,288字的SDRAM
×
32位
×
4
银行。所有输入和输出都与同步
在时钟的正边缘。
电源电压为3.3V ( EDS6432AFTA )和2.5V
(EDS6432CFTA).
它封装在86引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
86引脚塑料TSOP ( II )
特点
3.3V和2.5V电源
时钟频率: 166MHz的/ 133MHz的(最大)
单脉冲/ RAS
×32
组织
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过DQM字节控制
刷新周期: 4096刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
TSOP ( II )封装,无铅焊料(锡铋)
符合RoHS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDD
DQM0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
DQM2
VDD
NC
DQ16
VSSQ
DQ17
DQ18
VDDQ
DQ19
DQ20
VSSQ
DQ21
DQ22
VDDQ
DQ23
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
VSS
NC
DQ31
VDDQ
DQ30
DQ29
VSSQ
DQ28
DQ27
VDDQ
DQ26
DQ25
VSSQ
DQ24
VSS
( TOP VIEW )
A0到A10
BA0 , BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
对于DQ电路
DQM0到DQM3
输入输出的掩码
NC
无连接
一号文件E0487E50 (版本5.0 )
发布日期2005年6月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004-2005年