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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
512M比特XDR
DRAM
EDX5116ADSE ( 32M字
×
16比特)
概观
该EDX5116ADSE是512M比特XDR
DRAM举办
为32M的话
×
16位。它是一个通用的高性
适用于广泛的用途曼斯存储装置
应用程序。
利用差分RAMBUS信号级( DRSL )的技
术允许在使用三千二分之四千Mb / s的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。 XDR
DRAM设备能够持续的数据传输
6400分之8000 MB /秒。
XDR DRAM装置结构允许的最高持续
带宽多,随机交错处理的MEM
ORY交易。超过95%的高效率的协议收益率
利用率,同时使细颗粒度的访问。该设备的
八家银行支持最多四个交错的交易。
它被包装在与Rambus的104球FBGA兼容
XDR DRAM引脚配置。
低功耗
• 1.8V的Vdd
•可编程的小摆幅I / O信号( DRSL )
•低功耗PLL / DLL的设计
•掉电自刷新支持
•每个引脚的I / O断电的窄幅运行
引脚配置
L
1
DQN3
DQN9
VDD
GND
VDD
K
J
H
G
F
ROW
E
GND
D
VDD
C
SDI
B
A
2
DQ3
1
DQ9
VDD
DQN15
DQ15
2
3
CFM
4
5
6
GND
7
DQN8 DQN2
DQ8
DQ2
3
4
5
6
7
8
P
DQ5
DQN5
DQN5 VDD RQ10
RSRV
RSRV
VDD
DQN7 RQ0 DQN4
DQ7
RQ4
DQN14
VTERM GND
GND DQ4
RQ3
DQN3 VTERM VDD
DQ3
DQ14
VDD
GND
N
GND GND RQ11
VDD
DQ5
CFMN
DQ1
DQN1
VDD VTERM
GND
GND
VDD
VDD
VREF
GND
VDD
VTERM
RQ10GND
RQ8
RQ6
RQ4
RQ2
RQ0 GND
VDD
GND
VDD
RQ7
RQ6
GND
GND
M
VDD
L
K
J
GND
VDD
RQ11
VDD
RQ9
RQ7
CFMN
RQ5
GND GND
VDD
GND
CFM
GND
COLUMN
9
10
H
G
F
E
D
C
B
A
特点
最高引脚可用带宽
三千二分之四千Mb / s的八通道数据速率( ODR )信令
•双向差分RSL ( DRSL )
- 灵活的读/写带宽分配
- 最少引脚数
•片上端接
-Adaptive阻抗匹配
- 减少了系统成本和复杂性路由
每个DRAM器件的最高持续带宽
• 6400分之8000 MB / s的持续数据传输率
•八家银行:全行交错交易
带宽
•动态请求调度
•早期阅读后写支持,以实现最高效率
•零刷新占用
动态宽度控制
• EDX5116ADSE支持
×
16,
×
8
×
4模式
低延迟
• 2.0 / 2.5 ns的请求数据包
•点至点的最快的数据互连
飞行时间
•支持低等待时间,快速循环芯
11
12
13
14
15
16
GND
VDD
GND
RQ3
VDD
RQ1
VDD
VTERM GND
GND
GND
GND
VDD
GND
RST
GND GND
SD0
CMD
RQ9
DQN13 VDD
DQ0
DQN0
DQ13 CMD
RQ8
DQN7
DQ7
VREF
RQ5
SCK
RQ1
SD1
VDD DQN12 DQN6
DQ6
DQN2
DG2
RQ2
GND DQ12
VTERM
GND
VDD
DQN11 DQN1 SCK
DQ11
DQ4
DQN4
GND
DQ1
VDD
VDD
GND
GND
RST DQN0 DQN10
DQ10
DQN6
DQ6
VDD
SDO
DQ0
A16
A8
包顶视图
文档。第E1033E40 (版本4.0 )
发布日期
九月
2009年(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
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尔必达内存公司
2007-2009