HB52F648EN-75B,
HB52F649EN-75B
512 MB SDRAM无缓冲DIMM ， 133 MHz内存总线
（ HB52F648EN ） 64 Mword
×
64位， 2 -银行模块
（ 16个32米
×
8组件）
（ HB52F649EN ） 64 Mword
×
72位， 2 -银行模块
（ 18个32米
×
8组件）
PC133 SDRAM
E0012H10 （第1版）
（上ADE - 203-1115A （ Z） ）
初步
2001年1月17日
描述
该HB52F648EN ， HB52F649EN属于8个字节的DIMM （双列直插式内存模块）的家庭，
已经开发了作为8字节处理器应用的优化主存储器解决方案。他们是
同步动态RAM模块，装在密封的TSOP 256兆位的SDRAM （ HM5225805BTT ）
包，和1片的串行EEPROM （2-千比特），用于检测（ PD） 。该HB52F648EN组织
32M
×
64
×
2银行装16枚256兆位的SDRAM 。该HB52F649EN组织32M
×
72
×
2-银行装18枚256兆位的SDRAM 。该产品的外形是168针插座型
封装（双引出来） 。因此，他们提出的高密度安装可能没有表面贴装
技术。它们提供了通用的数据输入和输出。去耦电容的旁边安装
每个TSOP在模块板。
特点
•
JEDEC标准的大纲8字节DIMM ：完全兼容
•
168针插座式封装（双引出来）
概要： 133.37毫米（长）
×
34.925毫米（高）
×
4.00毫米（厚度）
引线间距： 1.27毫米
•
3.3 V电源
•
时钟频率： 133兆赫（最大）
•
LVTTL接口
初步：该设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您
最近的尔必达内存公司关于规范。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
