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HB56UW1673E-6F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HB56UW1673E-6F
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内容描述: 缓冲128MB EDO DRAM DIMM 16 Mword × 72位, 4K刷新, 1银模块( 18颗16M × 4组件) [128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module (18 pcs of 16M × 4 components)]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 205 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HB56UW1673E-F
描述
乙肝56UW 1673E属于8个字节DI MM (D UAL列直插式内存模块) FA家人在一起,并有蜜蜂ñ
开发了4和8字节的处理器应用优化的主存储器解决方案。该HB56UW1673E
是一个16M的
×
72敦南麦克 - [R AM模块,安装64兆DR AM (H M5165405 ) 18 PIEC ES在海上主导
TS OP封装时和16位线驱动ř海2 PIEC ES带领TS SOP封装时。乙肝56UW 1673E断器
延长器Ð大た输出( ED O) P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。乙肝56UW 1673E的轮廓
168针socke T形封装时( DUA升LEA D OUT ) 。裁判矿石,乙肝56UW 1673E化妆的高密度安装
可能没有表面贴装技术。该HB56UW1673E提供公共的数据输入和输出。
去耦电容安装在其模块板的每个TSOP旁边。
特点
168针插座式封装(双引出来)
引线间距: 1.27毫米
3.3 V单电源: 3.3
±
0.3 V
高速
访问时间:吨
RAC
= 50纳秒/ 60纳秒(最大)
访问时间:吨
CAC
= 18纳秒/ 20纳秒(最大)
低功耗
主动模式: 8.46 W / 7.16 W(最大)
待机模式( TTL ) : 166毫瓦(最大)
缓冲输入除
RAS
和DQ
4字节交织启用,双地址输入( A0 / B0 )
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
EO
缓冲128MB EDO DRAM DIMM
16-Mword
×
72位, 4K刷新, 1银模块
( 18个16M的
×
4组件)
E0101H10 (第1版)
(上ADE - 203-1123A ( Z) )
2001年1月31日
该产品成为EOL于2005年8月。
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