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HM5117805TS-5 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM5117805TS-5
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内容描述: 16M的EDO DRAM (2- Mword ×8位)的2千刷新 [16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 539 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EO
描述
特点
HM5117805系列
16M的EDO DRAM (2- Mword
×
8-bit)
2 k刷新
E0156H10 (版本1.0 )
(上ADE - 203-630D ( Z) )
2001年6月27日
该HM5117805是一个C MOS动态ř AM奥尔加nize D 2 , 097152 -W ORD
×
8位。它采用了最
ADVA NCE维C MOS TEC hnology高每备考NCE和低鲍威河该HM5117805断器延长器ð达TA
输出( ED O) P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。每MITS的HM5117805到Multiplexe ð地址输入ESS
被封装在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚TSOP 。
采用5 V ( ± 10 % )
访问时间: 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒(最大)
功耗
主动模式: 605毫瓦/ 550毫瓦/ 495毫瓦(最大)
待机模式: 11毫瓦(最大)
: 0.83毫瓦(最大) (L-版本)
EDO页面模式功能
龙刷新周期
2048刷新周期: 32毫秒
: 128毫秒(L-版本)
刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新(L-版本)
电池备份操作( L-版)
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
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