HM5112805FLTD -6, HM5113805FLTD -6-
128M EDO DRAM ( 16 Mword
×
8-bit)
8K刷新/ 4K刷新
L
EO
描述
特点
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3.3 V单电源: 3.3 V± 0.3 V
•
访问时间: 60 ns的(最大)
•
功耗
主动: 720毫瓦(最大) ( HM5112805F )
792毫瓦(最大) ( HM5113805F )
E0176H10 (版本1.0 )
2001年7月12日
该HM5112805F L, HM5113805F L AR ê 128M位动态ř肺泡奥尔加认列16 , 777216 -W ORD
×
8-bit.
在y已重新按预计NCE和低鲍威ř艾莉婕D高通过采用Ç MOS PROC ESS TEC hnology 。
HM5112805F L, HM5113805F L断器延长器ð大た输出( ED O) P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。
它们被封装在32引脚塑料TSOPII 。
待机: 1.8毫瓦(最大) ( CMOS接口) (L -版)
•
EDO页面模式功能
•
刷新周期
RAS-只
刷新
8192次/ 64毫秒( HM5112805F )
4096次/ 64毫秒( HM5113805F )
CBR /隐藏刷新
4096次/ 64毫秒( HM5112805F , HM5113805F )
本产品成为了EOL于2006年12月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
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