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    HM5113165FLTD-6 参数 Datasheet PDF下载

    HM5113165FLTD-6图片预览
    型号： HM5113165FLTD-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M EDO DRAM （ 8 Mword × 16位） 4K的刷新 [128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 31 页 / 265 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5113165FLTD-6的Datasheet PDF文件第9页  
    HM5113165LTD-6
    128M EDO DRAM （ 8 Mword
    ×
    16-bit)
    4K刷新
    EO
    描述
    特点
    E0178H10 （版本1.0 ）
    2001年7月12日
    该HM5113165F L为128M位动态ř AM奥尔加的发布为8 ， 388 ， 608字
    ×
    16位。它已经重新艾莉婕D高
    每备考NCE和采用Ç MOS PROC ESS TEC hnology低鲍威河HM5113165F L断器延长器ð达TA
    输出（ EDO ）页面模式作为一种高速接入方式。它封装在50引脚塑料TSOPII 。
    •
    3.3 V单电源： 3.3 V± 0.3 V
    •
    访问时间： 60 ns的（最大）
    •
    功耗
    ⎯
    主动： 828毫瓦（最大）
    ⎯
    待机： 1.8毫瓦（最大） （ CMOS接口） （L -版）
    •
    EDO页面模式功能
    •
    刷新周期
    ⎯
    RAS-只
    刷新
    4096次/ 64毫秒
    ⎯
    CBR /隐藏刷新
    4096次/ 64毫秒
    •
    刷新4变化
    ⎯
    RAS-只
    刷新
    ⎯
    CAS先于RAS
    刷新
    ⎯
    隐藏刷新
    ⎯
    自刷新（L-版本）
    尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
    L
    本产品成为了EOL于2006年12月。
    od
    Pr
    t
    uc

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