EO
描述
特点
HM5116405系列
HM5117405系列
16M的EDO DRAM ( 4 Mword
×
4-bit)
4K的刷新/ 2 k刷新
该HM5116405系列, HM5117405系列是CMOS动态RAM举办4,194,304字
×
4-bit.
他们采用了最先进的CMOS技术的高性能和低功耗。该
HM5116405系列, HM5117405系列提供扩展数据输出( EDO )页面模式的高速
访问模式。他们有一个标准的26引脚塑料SOJ和标准的26引脚塑料封装变化
TSOP II 。
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采用5 V ( ± 10 % )
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访问时间: 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒(最大)
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功耗
主动模式: 495毫瓦/ 440毫瓦/ 385毫瓦(最大) ( HM5116405系列)
: 550毫瓦/ 495毫瓦/ 440毫瓦(最大) ( HM5117405系列)
待机模式: 11毫瓦(最大)
: 0.83毫瓦(最大) (L-版本)
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EDO页面模式功能
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龙刷新周期
4096刷新周期: 64毫秒( HM5116405系列)
: 128毫秒(L-版本)
2048年的更新周期: 32毫秒( HM5117405系列)
: 128毫秒(L-版本)
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刷新3变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
LP
E0151H10 (版本1.0 )
(上ADE - 203-633D ( Z) )
2001年7月6日( K)
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