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HM5117405LTS-5 参数 Datasheet PDF下载

HM5117405LTS-5图片预览
型号: HM5117405LTS-5
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 4 - Mword “ 4位), 4K的刷新/ 2 k刷新 [16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 34 页 / 560 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5116405系列, HM5117405系列
EO
测试条件
参数
RAS
脉冲宽度
CAS
脉冲宽度
RAS
保持时间
CAS
保持时间
AC特性
(大= 0至+ 70 ° C,V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V) *
1
, *
2
, *
18
输入上升和下降时间: 2纳秒
输入电平: V
IL
= 0 V, V
IH
= 3 V
输入时序参考水平: 0.8 V, 2.4 V
输出时序参考水平: 0.8 V, 2.0 V
输出负载: 1 TTL门+ C
L
( 100 pF)的(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期(公共参数)
HM5116405/HM5117405
-5
84
30
7
50
7
0
7
0
7
最大
-6
104
40
10
最大
-7
124
50
13
最大
单位
ns
ns
ns
笔记
随机读或写周期时间
RAS
预充电时间
CAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
OE
根据DIN延迟时间
OE
从锭延迟时间
CAS
从锭延迟时间
转换时间(上升和下降)
LP
符号
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
10000 60
10000 70
10000 13
45
0
10
0
13
14
10000 NS
10000 NS
52
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
6
6
7
3
4
数据表E0151H10
11
ro
11
9
10
35
5
13
0
0
2
37
25
50
10000 10
0
10
0
10
14
du
12
13
40
30
12
13
45
5
5
15
18
0
0
0
0
2
50
2
ct