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HM5118165TT-7 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM5118165TT-7
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 1 - Mword ×16位), 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 578 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EO
描述
特点
HM5118165系列
16M的EDO DRAM ( 1 - Mword
×
16-bit)
1千刷新
E0154H10 (版本1.0 )
(上ADE - 203-636D ( Z) )
2001年7月6日( K)
该HM5118165是CMOS动态RAM组织为1,048,576字
×
16位。它采用了最
先进的0.5微米CMOS工艺的高性能和低功耗。该HM5118165提供扩展
数据输出( EDO )页面模式作为一种高速接入方式。它封装在42引脚塑料SOJ和50针
塑料TSOP II 。
采用5 V ( ± 10 % )
访问时间: 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒(最大)
功耗
主动模式: 1045毫瓦/ 935毫瓦/ 825毫瓦(最大)
待机模式: 11毫瓦(最大)
: 0.83毫瓦(最大) (L-版本)
EDO页面模式功能
刷新周期
1024刷新周期: 16毫秒
: 128毫秒(L-版本)
刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新(L-版本)
2CAS字节控制
电池备份操作( L-版)
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
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