HM5164805F系列
HM5165805F系列
EO
描述
特点
64男EDO DRAM ( 8 Mword
×
8-bit)
为8K刷新/ 4K的刷新
E0098H10 (第1版)
(上ADE - 203-1057C ( Z) )
2001年1月31日
该HM5164805F S伊利S, HM5165805F S伊利s AR ê 64M位动态ř肺泡奥尔加认列之为8 , 388608 -W ORD
×
8位。在y已重新按预计NCE和低鲍威ř艾莉婕D高通过采用Ç MOS PROC ESS TEC hnology 。
HM5164805F S伊利S, HM5165805F S伊利š断器延长器ð大た输出( ED O) P年龄模式为高段速度
AC CE SS模式。在y有standa RD 32针胶章辛普森和standa RD 32引脚塑料封装时VAR iation
TSOPII 。
•
3.3 V单电源: 3.3 V± 0.3 V
•
访问时间: 50纳秒/ 60纳秒(最大)
•
功耗
主动: 414毫瓦/ 378毫瓦(最大) ( HM5164805F系列)
: 486毫瓦/ 414毫瓦(最大) ( HM5165805F系列)
待机: 1.8毫瓦(最大) ( CMOS接口)
: 1.1毫瓦(最大) (L-版本)
•
EDO页面模式功能
•
刷新周期
RAS-只
刷新
8192次/ 64毫秒( HM5164805F , HM5164805FL )
4096次/ 64毫秒( HM5165805F , HM5165805FL )
CBR /隐藏刷新
4096次/ 64毫秒( HM5164805F , HM5164805FL , HM5165805F , HM5165805FL )
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
L
本产品成为了EOL于2006年12月。
o
Pr
du
ct