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    HM5165805FJ-6 参数 Datasheet PDF下载

    HM5165805FJ-6图片预览
    型号： HM5165805FJ-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64男EDO DRAM （ 8 Mword × 8位）为8K刷新/ 4K的刷新 [64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 34 页 / 220 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第12页浏览型号HM5165805FJ-6的Datasheet PDF文件第13页  
    HM5164805F系列， HM5165805F系列
    DC特性
    （ HM5165805F系列）
    EO
    参数
    工作电流*
    1,
    *
    2
    待机电流
    待机电流
    （L-版本）
    RAS-只
    刷新电流*
    2
    待机电流*
    1
    CAS先于RAS
    刷新
    当前
    EDO页面模式电流*
    1,
    *
    3
    备用电池电流*
    4
    （备CBR刷新）
    （L-版本）
    自刷新模式时的电流
    （L-版本）
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    I
    LI
    HM5165805F
    -5
    最大
    135
    2
    -6
    民
    —
    —
    最大
    115
    2
    单位
    mA
    mA
    测试条件
    t
    RC
    =分钟
    TTL接口
    RAS ， CAS
    = V
    IH
    DOUT =高阻
    CMOS接口
    RAS ， CAS
    ≥
    V
    CC
    – 0.2 V
    DOUT =高阻
    CMOS接口
    RAS ， CAS
    ≥
    V
    CC
    – 0.2 V
    DOUT =高阻
    t
    RC
    =分钟
    RAS
    = V
    IH
    ,
    CAS
    = V
    IL
    DOUT =启用
    t
    RC
    =分钟
    RAS
    = V
    IL
    ,
    CAS
    周期，
    t
    HPC
    = t
    HPC
    民
    CMOS接口
    DOUT =高阻
    CBR刷新：吨
    RC
    = 15.6 µs
    t
    RAS
    ≤
    0.3 µs
    CMOS接口
    RAS ， CAS
    ≤
    0.2 V
    DOUT =高阻
    0 V
    ≤
    VIN
    ≤
    V
    CC
    + 0.3 V
    0 V
    ≤
    VOUT
    ≤
    V
    CC
    DOUT =禁用
    符号最小值
    I
    CC1
    —
    —
    I
    CC2
    —
    0.5
    —
    0.5
    mA
    注：1。我
    CC
    依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
    CC
    最大值是在输出指定
    开放的条件。
    2.地址可以一次或更少，而改变
    RAS
    = V
    IL
    .
    3.测量每个EDO周期一个连续的地址变更，T
    HPC
    .
    4. V
    IH
    ≥
    V
    CC
    – 0.2 V, 0 V
    ≤
    V
    IL
    ≤
    0.2 V.
    L
    I
    CC2
    —
    I
    CC3
    I
    CC5
    I
    CC6
    I
    CC7
    I
    CC10
    —
    —
    —
    —
    —
    I
    CC11
    —
    –5
    –5
    2.4
    0
    I
    LO
    V
    OH
    V
    OL
    300
    —
    300
    µA
    135
    5
    135
    110
    1.2
    —
    —
    —
    —
    —
    115
    5
    115
    100
    1.2
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    数据表E0098H10
    9
    o
    Pr
    500
    —
    500
    µA
    5
    5
    V
    CC
    0.4
    –5
    –5
    2.4
    0
    5
    5
    µA
    µA
    V
    CC
    0.4
    V
    V
    du
    高IOUT = -2毫安
    低IOUT = 2毫安
    ct

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