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    HM51W17805LTT-6 参数 Datasheet PDF下载

    HM51W17805LTT-6图片预览
    型号： HM51W17805LTT-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M的EDO DRAM （2- Mword ×8位）的2千刷新 [16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 32 页 / 542 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM51W17805LTT-6的Datasheet PDF文件第9页  
    HM51W17805系列
    LP
    EO
    描述
    特点
    •
    •
    •
    •
    16M的EDO DRAM （2- Mword
    ×
    8-bit)
    2 k刷新
    E0155H10 （版本1.0 ）
    （上ADE - 203-631D （ Z） ）
    2001年6月27日
    该HM51W 17805是一个C MOS动态ř AM奥尔加认列2 097152 -W ORD
    ×
    8位。它采用了最
    ADVA NCE维C MOS TEC hnology高每备考NCE和低鲍威河该HM51W 17805关器延长器ð达TA
    输出（ ED O） P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。每MITS Multiplexe ð地址ESS输入HM51W 17805至
    被封装在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚TSOP 。
    •
    单一3.3 V （ ± 0.3 V ）
    •
    访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）
    •
    功耗
    主动模式： 396毫瓦/ 360兆瓦/ 324兆瓦（最大）
    待机模式： 7.2毫瓦（最大）
    ： 0.54毫瓦（最大） （L-版本）
    EDO页面模式功能
    龙刷新周期
    2048刷新周期： 32毫秒
    ： 128毫秒（L-版本）
    刷新4变化
    RAS-只
    刷新
    CAS先于RAS
    刷新
    隐藏刷新
    自刷新（L-版本）
    电池备份操作（ L-版）
    尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
    du
    ro
    ct

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