HM51W16165 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM51W16165
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 4K的刷新/ 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	35 页 / 598 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM51W16165系列， HM51W18165系列

参数

待机电流

（L-版本）

待机电流*

输出高电压

输出低电压

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 3.3 V ± 0.3 V, V

= 0 V）（ HM51W18165系列）

HM51W18165

-5

符号

CC1

CC2

-6

-7

测试条件

=分钟

TTL接口

RAS ， UCAS ， LCAS

= V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≥

–

0.2 V

DOUT =高阻

=分钟

RAS

= V

UCAS ， LCAS

= V

DOUT =启用

=分钟

HPC

=分钟

CMOS接口

DOUT =高阻

CBR刷新：吨

= 125

µs

RAS

≤

0.3 µs

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≤

0.2 V

DOUT =高阻

0 V

≤

VIN

≤

4.6 V

0 V

≤

VOUT

≤

4.6 V

DOUT =禁用

高IOUT = -2毫安

低IOUT = 2毫安

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

—

190 —

—

170 —

—

150毫安

工作电流*

RAS-只

刷新电流*

CAS先于RAS

刷新

当前

EDO页面模式电流*

CC7

备用电池电流*

（备CBR刷新）

（L-版本）

CC10

自刷新模式时的电流

（L-版本）

输入漏电流

输出漏电流

注：1。我

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

最大值是在指定

输出开路状态。

2.地址可以一次或更少，而改变

RAS

= V

3.地址可以一次或更少，而改变

UCAS

和

LCAS

= V

4. V

≥

– 0.2 V, 0 V

≤

0.2 V.

—

CC2

—

CC3

CC5

—

CC6

—

CC11

—

2.4

—

150 —

150 µA

190 —

—

170 —

—

150毫安

–10 10

数据表E0153H10

190 —

185 —

400 —

250 —

–10 10

2.4

0.4

170 —

165 —

400 —

150毫安

145毫安

400 µA

250 —

2.4

250 µA

–10 10

µA

0.4

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