EO
描述
特点
HM51W16165系列
HM51W18165系列
16M的EDO DRAM ( 1 - Mword
×
16-bit)
4K的刷新/ 1千刷新
该HM51W16165系列, HM51W18165系列是CMOS动态RAM组织为1,048,576字
×
16位。他们采用了最先进的CMOS技术的高性能和低功耗。
HM51W16165系列, HM51W18165系列提供扩展数据输出( EDO )页面模式的高速
访问模式。他们有标准的400密耳42引脚塑料SOJ和400万50引脚封装的变化
塑料TSOP 。
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单一3.3 V ( ± 0.3 V )
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访问时间: 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒(最大)
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功耗
主动模式: 396毫瓦/ 360MW / 324毫瓦(最大) ( HM51W16165系列)
: 684毫瓦/ 612毫瓦/ 540毫瓦(最大) ( HM51W18165系列)
待机模式: 7.2毫瓦(最大)
: 0.54毫瓦(最大) (L-版本)
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EDO页面模式功能
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刷新周期
4096刷新周期: 64毫秒( HM51W16165系列)
: 128毫秒(L-版本)
1024刷新周期: 16毫秒( HM51W18165系列)
: 128毫秒(L-版本)
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刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新(L-版本)
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2CAS字节控制
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
LP
E0153H10 (版本1.0 )
(上ADE - 203-650D ( Z) )
2001年7月6日( K)
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