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    HM5264805FTT-B60 参数 Datasheet PDF下载

    HM5264805FTT-B60图片预览
    型号： HM5264805FTT-B60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： LVTTL 64M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的1 - Mword × 16位×4行/ 2 - Mword × 8位× 4银行/ 4 - Mword × 4位× 4银行PC / 133 ， PC / 100 SDRAM [64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 1-Mword × 16-bit × 4-bank/2-Mword × 8-bit × 4-bank /4-Mword × 4-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器PC
    文件页数/大小： 65 页 / 498 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第13页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第14页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第15页浏览型号HM5264805FTT-B60的Datasheet PDF文件第16页  
    HM5264165F/HM5264805F/HM5264405F-75/A60/B60
    DQM真值表
    (HM5264165F)
    CKE
    符号
    ENBU
    ENBL
    马斯库
    MASKL
    n-1
    H
    H
    H
    H
    n
    ×
    ×
    ×
    ×
    DQMU
    L
    ×
    H
    ×
    DQML
    ×
    L
    ×
    H
    EO
    命令
    命令
    12
    高字节写使能/输出使能
    低字节写使能/输出使能
    高字节写禁止/输出禁止
    低字节写禁止/输出禁止
    注： H： V
    IH
    。 L： V
    IL
    .
    ×:
    V
    IH
    或V
    IL
    .
    写：我
    DID
    是必要的。
    阅读：我
    国防部
    是必要的。
    DQM真值表
    (HM5264805F/HM5264405F)
    CKE
    符号
    ENB
    面膜
    n-1
    H
    H
    n
    ×
    ×
    DQM
    L
    H
    写使能/输出使能
    写禁止/输出禁止
    注： H： V
    IH
    。 L： V
    IL
    .
    ×:
    V
    IH
    或V
    IL
    .
    写：我
    DID
    是必要的。
    阅读：我
    国防部
    是必要的。
    SDRAM中可以通过DQM ， DQMU / DQML的装置掩盖输入/输出数据。
    DQMU口罩的高字节和DQML口罩的低字节。 （ HM5264165F ）
    在读取期间，输出缓冲器是通过设置DQM ， DQMU / DQML到低，从而使数据设置为低 - Z
    输出。另一方面，当DQM ， DQMU / DQML设置为高时，输出缓冲器变成高阻抗，
    禁止数据输出。
    写作过程中，数据被写入由DQM ， DQMU / DQML设置为低。当DQM ， DQMU / DQML设置
    为高时，前面的数据被保持（即新数据不被写入） 。期望中的数据可以在突发读取被屏蔽
    或通过设置DQMU / DQML突发写入。有关详细信息，请参阅的的DQM ， DQMU / DQML控制部分
    SDRAM的操作说明。
    L
    Pr
    数据表E0135H10
    od
    uc
    t

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