HM5264165F/HM5264805F/HM5264405F-75/A60/B60
列地址选通和读命令[阅读] ：
此命令启动一个读操作。此外，
的脉冲串读出的起始地址由列地址（ AY0到AY7确定; HM5264165F ， AY0到
AY8 ; HM5264805F ， AY0到AY9 ; HM5264405F ）和银行选择地址（ BS） 。后读操作，
输出缓冲器变成高阻抗。
阅读与自动预充电[读取] ：
该命令会自动后进行预充电操作
突发读取用的1 ，2，4或8。当突发长度是整页的突发长度，该命令是非法的。
列地址选通和写命令[ WRIT ] ：
此命令启动写操作。当
猝发写模式被选择时，列地址（ AY0到AY7 ; HM5264165F ， AY0到AY8 ; HM5264805F ，
AY0到AY9 ; HM5264405F ）和银行选择地址（ A12 / A13 ）成为突发写入起始地址。
当选择单次写入模式下，数据只写入到由列地址指定的位置
（ AY0到AY7 ; HM5264165F ， AY0到AY8 ; HM5264805F ， AY0到AY9 ; HM5264405F ）和银行选择
地址（ A12 / A13 ） 。
写带自动预充电[ WRIT A] ：
该命令会自动后进行预充电操作
同的1 ，2，4或8的长度猝发写，或经过一个单一的写操作。当突发长度是整页，
这个命令是非法的。
行地址选通和银行激活[ ACTV ] ：
此命令激活被选中的银行
A12 / A13 （BS）和确定的行地址（ AX0到AX11 ） 。当A12和A13都低，银行0
激活。当A12为高电平，并且A13是低，银行1被激活。当A12为低和A13为高，银行
2被激活。当A12和A13都很高，银行3被激活。
预充电选择银行[二手] ：
此命令启动预充电操作所选择的银行
A12 / A13 。如果A12和A13都低，银行选择0 。如果A12是高和A13是低，银行1被选中。如果
A12是低和A13为高，银行2中选择。如果A12和A13都很高，银行3被选中。
预充电所有银行[ PALL ] ：
此命令启动一个预充电操作适用于所有银行。
刷新[ REF / SELF ] ：
此命令启动刷新操作。有两种类型的刷新操作，
一个是自动刷新，而另一个是自刷新。有关详细信息，请参阅CKE真值表部分。
模式寄存器集[黄] ：
SDRAM中有一个模式寄存器定义它如何运作。模式寄存器中
由地址引脚（ A0至A13）在模式寄存器中设置的周期指定。有关详细信息，请参阅模式
寄存器的配置。接通电源后，模式寄存器的内容是不确定的，执行方式
注册set命令来设置模式寄存器。
EO
L
Pr
数据表E0135H10
od
uc
t
11
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
