数据表
MOS集成电路
MC-4516CB647
16M - WORD 64位同步动态RAM模块
无缓冲型
EO
描述
特点
产品型号
MC-4516CB647EF-A75
MC-4516CB647PF-A75
MC-4516CB647XF-A75
在MC- 4516CB647EF , MC- 4516CB647PF和MC- 4516CB647XF是16777216字由64位同步
动态内存模块上的这8条128M SDRAM :
µ
PD45128841组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间,而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
•
16777216字由64位组织
•
时钟频率和访问时间从CLK
•
完全同步动态RAM中,具有所有信号参考一个时钟上升沿
•
脉冲接口
•
可以断言随机列地址在每个周期中
•
由BA0和BA1控制四内部银行( Bank选择)
•
可编程的突发长度(1, 2 ,4,8和全页)
•
可编程的缠绕顺序(顺序/交织)
•
可编程/ CAS延迟( 2,3)
•
自动预充电和预充电控制
•
CBR (自动)刷新和自刷新
•
所有的DQ有10个
Ω ±10
%串联电阻
•
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
•
LVTTL兼容
•
4096刷新周期/ 64毫秒
•
突发终止突发停止命令和预充电命令
•
168针的双列直插内存模块(引脚间距= 1.27毫米)
•
无缓冲型
•
串行PD
一号文件E0058N20 (版本2.0 )
发布日期2001年3月CP ( K)
日本印刷
L
/ CAS延时
时钟频率
( MAX 。 )
133兆赫
100兆赫
133兆赫
从CLK访问时间
( MAX 。 )
5.4纳秒
6.0纳秒
5.4纳秒
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
本产品成为了EOL于2002年9月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
u
od
Pr
100兆赫
6.0纳秒
5.4纳秒
CL = 3
CL = 2
133兆赫
100兆赫
6.0纳秒
ct