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    UPD45128163G5-A75LI-9JF-E 参数 Datasheet PDF下载

    UPD45128163G5-A75LI-9JF-E图片预览
    型号： UPD45128163G5-A75LI-9JF-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M位同步DRAM 4银行， LVTTL WTR （宽温度范围） [128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 86 页 / 942 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UPD45128163G5-A75LI-9JF-E的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    MOS集成电路
    µ
    PD45128163-I-E
    128M位同步DRAM
    4银行， LVTTL
    WTR （宽温度范围）
    描述
    该
    µ
    PD45128163是高速134217728位的同步动态随机存取存储器，组织为
    2,097,152
    ×
    16
    ×
    4 （字
    ×
    位
    ×
    银行） 。
    同步DRAM实现使用流水线架构的高速数据传输。
    所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
    同步DRAM是低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
    该产品被包装在54针TSOP （ II ） 。
    特点
    •
    完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
    •
    脉冲接口
    •
    可以断言随机列地址在每个周期中
    •
    由BA0 （ A13）和BA1控制四内部银行（ A12 ）
    •
    通过LDQM和UDQM字节控制
    •
    可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
    •
    可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
    •
    可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
    •
    环境温度（T
    A
    ):
    −40
    至+ 85°C
    •
    自动预充电和预充电控制
    •
    CBR （自动）刷新和自刷新
    • ×16
    组织
    •
    采用3.3 V单
    ±
    0.3 V电源
    •
    LVTTL兼容的输入和输出
    •
    4096刷新周期/ 64毫秒
    •
    突发终止突发停止命令和预充电命令
    •
    TSOP （ II ）封装，无铅焊料（锡铋）
    符合RoHS
    本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
    证实，这是最新版本。
    不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
    供应及其他信息。
    一号文件E0729N10 （ 1.0版本）
    发布日期2005年6月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    Elpida
    内存方面， 2005年公司
    尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司

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