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EM25LV010-33RKGBS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM25LV010-33RKGBS
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )串行闪存 [1 Megabit (128K x 8) Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 30 页 / 536 K
品牌: EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
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EM25LV010
1兆位( 128K ×8 )串行闪存
规范
概述
该EM25LV010是组织成128K ×8位的1M比特的闪存,并使用一个单一的
电压为2.7-3.6V编程和擦除的。它具有典型的2ms的页编程时间和
一个典型的40ms的块擦除时间。该设备使用状态寄存器以检测完成
在编程或擦除操作。为了防止意外写操作,该器件具有片上
硬件和软件数据保护方案。该器件提供典型的10万次
耐力和超过10年的数据保存。该EM25LV010符合SPI
总线兼容的串行接口。它由四个引脚(串行时钟,片选,串行数据
中,和串行数据输出),该支持高达33MHz的高速串行数据传输。该
抱脚,写保护引脚和可编程写保护功能提供灵活的控制。
该EM25LV010提供8引脚SO封装,已知良好芯片(KGD ) 。对于KGD ,
请与义隆电子股份有限公司或其代表的详细信息(见
附录于本规范订购信息)的底部。
该EM25LV010器件适用于需要回忆便捷的应用
和程序,数据或配置,如图形卡经济升级,硬盘
驱动器,网络卡,数码相机打印机,液晶显示器,无绳电话等。
特点
单电源供电
全电压范围从2.7到3.6
伏读取和写入操作
稳压电压范围: 3.0〜 3.6
伏读取和写入操作
小的块擦除功能
块:统一32K字节
时钟速率
为33MHz (最大)
耗电量
工作电流: 4毫安(典型值)
掉电模式待机
电流: 1μA (典型值)
页编程功能
多达256个字节的2毫秒(典型值)
删除功能
块擦除时间: 40毫秒(典型值)
芯片擦除时间: 40毫秒(典型值)
自动写时序
内部V
PP
GENERATION
SPI总线兼容的串行接口
高可靠性:
耐力周期: 100K (典型值)
数据保存: 10年
封装选项
8引线-SO (150密耳)的
本规范如有变更,恕不另行通知。 ( 2004年11月8日V1.0 )
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