EM25LV010
1兆位（ 128K ×8 ）串行闪存
规范
状态寄存器
状态寄存器包含了许多可以读取或设置状态和控制位
具体说明。请参阅表3中的详细信息。
BUSY位
的（BUSY ）位在状态寄存器，它被设置为“1”状态时，该设备的只读位
在执行写状态寄存器，程序或擦除周期，而设备忽略
除了读状态寄存器指令进一步的说明。当程序，
擦除或写状态寄存器指令完成后， （忙）位将被清“ 0 ”
状态指示设备已准备好进一步的说明。
WEL位
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
当设置为“ 1”时，内部写使能锁存器设置。当设置为“ 0”时，内部
写使能锁存器复位，并没有写状态寄存器，程序，也不擦除指令
接受的。
BP1 ， BP0位
块保护（ BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义了区域的大小是
软件保护，以防止编程和擦除指令。这些位将被写入的
写状态寄存器（ WRSR ）指令。当一个或两个块的保护（ BP1，BP0）
位被设定为“1” ，相关的存储区，如表4中所定义，成为对受保护
页编程（ PP）和块擦除（ BE ）的指令。块保护（ BP1 ， BP0 ）位可
写入条件是硬件保护模式没有被设置。芯片擦除
如果（CE）指令被执行，并且仅当两个块保护（ BP1，BP0）位被设置为“0”。
SRWD位
状态寄存器写入禁止（ SRWD ）位与写入操作相结合
保护（ W＃ ）信号。状态寄存器写禁止位和写保护信号，使得
设备将设在硬件保护模式（当状态寄存器写禁止
（ SRWD ）位被设置为“1”，和写保护（ W＃ ）被驱动为低电平） 。在这种模式下，所述非易失性
的状态寄存器位（ SRWD ， BP1和BP0 ）变为只读位和写状态
寄存器（ WRSR ）指令不再接受执行。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年11月8日V1.0 ）
第30 6
EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
