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EM39LV010-45RM 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM39LV010-45RM
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内容描述: 1M位( 128Kx8 )快闪记忆体 [1M Bits (128Kx8) Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 23 页 / 282 K
品牌: EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
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EM39LV010
1M位( 128Kx8 )快闪记忆体
规范
硬件数据保护
噪声/毛刺保护:
V
DD
上电/掉电检测:
写禁止模式:
一个WE#或CE #脉冲小于5纳秒不会启动
写周期。
写操作被禁止时, V
DD
小于
1.5V.
强制OE #低, CE #高或WE#高会抑制
写操作。这可以防止在无意中写
上电或断电。
软件数据保护( SDP )
该EM39LV010提供了JEDEC核准的软件数据保护( SDP )方案
编程和擦除操作。任何编程操作需要包含的
三字节序列。这三个字节装入序列用于启动程序
操作时,提供防止意外写操作的最佳保护,尤其是在
在系统上电或掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。请参阅表3为特定的软件命令代码。在SDP
命令序列,无效命令会中止器件,使T内阅读模式
RC
.
本规范如有变更,恕不另行通知。 ( 2004年9月4日V1.0 )
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