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EM39LV040-55FHC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM39LV040-55FHC
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内容描述: 4M ( 512Kx8 )位闪存 [4M (512Kx8) Bits Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 21 页 / 381 K
品牌: EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
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EM39LV040
4M ( 512Kx8 )位闪存
规范
概述
该EM39LV040是组织为512K ×8位的4M位闪存。该EM39LV040
使用两个读一个单一的3.0伏,只有电源和写入功能。拥有高
高性能闪存技术, EM39LV040提供了一个典型的字节编程
11微秒的时间和40毫秒的典型扇区擦除时间。该设备采用翻转位或
数据#轮询检测完成计划或擦除操作。为了防止
意外写操作,该器件具有片上硬件和软件数据保护方案。
该器件提供典型的10万次耐用性和超过10年的数据保存。
该EM39LV040符合JEDEC标准引脚输出为X8的回忆。它提供了在
32引脚PLCC ,32引脚TSOP和已知良好芯片(KGD )的封装类型。对于KGD ,请
联系义隆电子股份有限公司或其代表的详细信息(见附录在
本规范的底部订购信息) 。
该EM39LV040器件用于需要回忆与应用开发
的程序,数据或构造,例如,网络方便和经济的更新
卡, CD - RW ,扫描仪,数字电视,电子书, GPS,路由器/交换器等。
特点
单电源供电
全电压范围从2.7到3.6伏
进行读取和写入操作
稳压电压范围: 3.0〜 3.6伏
进行读取和写入操作
扇区擦除功能
统一的4K字节扇区
扇区擦除功能
统一64K字节扇区
读取时间
访问时间: 45 , 55 , 70和90纳秒
耗电量
工作电流:5 mA(典型值)
待机电流: 1
µA
(典型值)
擦除/编程功能
扇区擦除时间: 40毫秒(典型值)
芯片擦除时间:
40毫秒(典型值)
字节编程时间: 11μs (典型值)
芯片重写时间:6秒(典型)
结束程序或最终的擦除
发现
数据#投票
切换位
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
引脚和软件命令集
与单电源兼容
|闪存
高可靠性
耐力周期: 100K (典型值)
数据保存: 10年
封装选项
32引脚PLCC
32针TSOP
本规范如有变更,恕不另行通知。 ( 2004年7月22日V1.0 )
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