EM39LV040
4M （ 512Kx8 ）位闪存
规范
直流特性（ CMOS兼容）
参数
描述
电源电流
I
DD
读
编程和擦除
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
测试条件
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
CE＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD,
V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD,
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100μA ，V
DD
=V
DD
民
民
最大
单位
20
30
10
1
10
0.8
0.7 V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
表5：
直流特性（ CMOS兼容）
推荐系统上电时序
参数
T
PU- READ
*
T
PU- WRITE
*
描述
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
民
100
100
单位
µs
µs
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表6：
推荐系统上电时序
电容（ TA = 25 ° C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
参数
C
I / O
*
C
IN
*
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试Conditons
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
最大
12pF
6pF
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表7：
电容（ TA = 25
°
C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
可靠性的特点
符号
N
结束
*
T
DR
*
I
LTH
*
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
10
100+I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表8：
可靠性的特点
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年7月22日V1.0 ）
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
