EM39LV040
4M （ 512Kx8 ）位闪存
规范
EM39LV040设备操作
手术
读
节目
抹去
待机
写禁止
写禁止
软件模式
产品
鉴定
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
DQ
D
OUT
D
IN
X
*
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
A
IN
A
IN
地址
扇区或块地址，为XXH
芯片擦除
X
X
X
见表3
*
X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
表2：
EM39LV040设备操作
写命令/命令序列
该EM39LV040提供了两种软件方法来检测完成一个项目或
擦除，以优化系统写周期时间周期。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ7 ）和翻转位（ DQ6 ） 。写操作结束检测模式
之后WE＃上升沿，启动内部编程或擦除启用
操作。在写操作的实际完成是与系统异步的;
因此，无论是数据＃查询或翻转位的读操作，可能会同时与完成
写周期。如果出现这种情况，系统可能得到一个错误的结果，即，有效数据
可能会与DQ7或DQ6冲突。为了防止这样的寄生干扰抑制，
当一个错误的结果发生时，软件程序应包括一个附加的2倍
循环读取访问的位置。如果两个读数都是有效的，则该设备已完成
写周期，否则拒绝是有效的。
芯片擦除
该EM39LV040提供片擦除功能，它允许对整个存储器阵列是
擦除到逻辑“1”状态。通过执行一个6字节的启动芯片擦除操作
与芯片擦除命令（ 10H ）地址5555H中的最后一个字节的命令序列
序列。擦除操作开始的6个WE＃或CE ＃上升沿，
以先到为准。在擦除操作，唯一有效的读操作是翻转位和
数据＃投票。请参阅表3中的命令序列，图6的时序图，
图15为相应的流程图。全片擦除期间发出的任何命令
操作将被忽略。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年7月22日V1.0 ）
第21 5
EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
